время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя

1. turn-on delay time

 

время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
время задержки при включении
t_зд.из
t_d
Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
[ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры полупроводниковых излучателей

Синонимы

• время задержки при включении

EN

• turn-on delay time

29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя

Время задержки при включении

Turn-on delay time

t_зд.из

Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа